江西百順電路科技有限公司
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18170121335/18170121330圖形轉移是制造高密度多層板的關鍵控制點，也是技術難點，其質量的優劣直接影響多層板的合格率。所以，在制作過程中，必須要達到以下幾點：
1、曝光要適度。這樣才能達到線條清晰平直，保證圖形電鍍的合格率及其基板的電性能和其它工藝要求。
2、干膜盡可能平整且厚度均勻。要求干膜應具有很好的柔韌性、良好的塑性、流動性與粘結性以確保達到無間隙貼膜。
3、顯影要充分。顯影是與下道工序直接相連的重要工序，其質量的好與壞是整個圖形轉移成功與否的重要標志。
二、高密度圖像轉移工藝過程中，若控制失靈，極容易滲鍍、顯影不良或抗蝕干膜剝離等質量問題。
為更進一步了解產生故障的原因，現對此種現象進行分析：
1、滲鍍：所謂滲鍍，即是由于干膜與覆銅箔板表面粘結不牢，使鍍液深入，而造成"負相"部分鍍層變厚及鍍好的錫鉛抗蝕層，給蝕刻帶來問題。很容易造成印制電路板的報廢，是生產中特別要注意的要點。圖形電鍍過程中，引起的滲鍍的原因分析如下： 1、曝光要適度。這樣才能達到線條清晰平直，保證圖形電鍍的合格率及其基板的電性能和其它工藝要求。
2、干膜盡可能平整且厚度均勻。要求干膜應具有很好的柔韌性、良好的塑性、流動性與粘結性以確保達到無間隙貼膜。
3、顯影要充分。顯影是與下道工序直接相連的重要工序，其質量的好與壞是整個圖形轉移成功與否的重要標志。
二、高密度圖像轉移工藝過程中，若控制失靈，極容易滲鍍、顯影不良或抗蝕干膜剝離等質量問題。
為更進一步了解產生故障的原因，現對此種現象進行分析：
1、滲鍍：所謂滲鍍，即是由于干膜與覆銅箔板表面粘結不牢，使鍍液深入，而造成"負相"部分鍍層變厚及鍍好的錫鉛抗蝕層，給蝕刻帶來問題。很容易造成印制電路板的報廢，是生產中特別要注意的要點。圖形電鍍過程中，引起的滲鍍的原因分析如下：
?。?）干膜顯影性不良，超期使用。上述已講過光致抗蝕干膜，其結構有三部分構成：聚酯薄膜、光致抗蝕劑膜及聚乙烯保護膜。在紫外光照射下，干膜與銅箔板表面之間產生良好的粘結力，起到抗電鍍和抗蝕刻的作用。若干膜超過有效期使用，這層粘結劑就會失效，在貼膜后的電鍍過程中夾失保護作用，形成滲鍍。解決的方法就是在使用前認真檢查干膜的有效使用周期。
?。?）溫度與濕度對貼膜的影響：不同的干膜都有比較適宜的貼膜溫度。如貼膜溫度過低，由于抗蝕膜得不到充分的軟化和適當的流動，導致干膜與覆銅箔層壓板表面結合力差；若溫度過高由于抗蝕劑中的溶劑和其它揮發性物質的迅速揮發而產生氣泡，而且干膜變脆而不耐電鍍形成起翹剝離，造成滲鍍而報廢。目前使用的無錫DFP型和美國杜邦3000型的干膜，一般控制的貼膜溫度為70-900C.
所使用的為水熔性干膜，空氣中的濕度對其影響較大。當濕度較大時，干膜的粘結劑在貼膜溫度較低時可達到良好的粘結效果。特別南方地區夏季氣溫偏高，從長期的實踐中摸索一套較好的溫度控制參數，在20-250C情況下，相對濕度75％以上時，貼膜溫度低于730C較好；相對濕度為60-70％時，貼膜溫度70-800C較好；相對濕度為60％以下時，貼膜溫度高于800C為好。同樣加大貼膜膠輥的壓力和溫度，也取得較好的效果。
?。?）曝光時間過長或曝光不足：在紫外光照射下，吸收了光能量的光引發劑分解成游離基引發單體進行光聚合反應，形成不溶于稀堿的溶液的體型分子。要使每種干膜聚合效果最好，就必須有一個最佳的曝光量。從光能量的定義公式可知，總曝光量E是光強度I和曝光時間T的乘積。若光強度I不變，則曝光時間T就是直接影響曝光總量的重要因素。曝光不足時，由于聚合不徹底，在顯影過程中，膠膜溶脹變軟，導致線條不清晰甚至膜層脫落，造成膜與銅結合不良；若曝光過度，會造成顯影困難，也會在電鍍過程中產生起翹剝離，形成滲鍍。所以，解決的工藝措施就是嚴格控制曝光時間，每種類型的干膜在起用時應按工藝要求進行測量。如采用瑞士頓21級光楔表，級差0.15，以控制6-9級為宜。
?。?）顯影不良：貼好的干膜后的覆銅箔層壓板經曝光之后，還須經過顯影機顯影，將未曝光的干膜保持原成份，在顯影機內與顯影液發生下列反應：
-COOH+Na+ → -COONa+H+
其中-COONa是親水基因，溶于水，從干膜上剝離下來，使整個板面顯露出需電鍍的圖形，然后進行電鍍。-COONa是干膜成份，Na+是顯影溶液的主要成份，（Na2CO33％加適量的消泡劑）。如顯影不準，使圖形導線部分有余膠，會造成局部鍍不上銅，形成廢次品，這是顯影段最容易出現的質量問題。
?。?）曝光時間過長。當曝光過度時，紫外光透過照相底片上透明部分并產生折射、衍射現象，照射到照相底片不透明部分下的干膜處，使本來不應該發生光聚合反應的該部分干膜，被部分曝光后發生聚合反應，顯影時就會產生余膠和線條過細的現象。因此，適當的控制曝光時間是控制顯影效果的重要條件。
同時在批量生產時，還應該注意當紫外光管長期運行過程中，產生
